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      1. 盟維芯片

        MEMS定制

        盟維芯片
        26
        2021-10
        接觸式光刻 | 步進式光刻 | 電子束光刻 | 雙面對準光刻 | 激光制版 等...
        26
        2021-10
        堿性腐蝕 | 酸性腐蝕 | 電感耦合等離子刻蝕 | 深硅刻蝕 | 深氧化硅刻蝕 | 離子束刻蝕 等...
        26
        2021-10
        低壓化學氣相沉積丨等離子增強化學氣相沉積 | 濺射沉積 | 電子束蒸發 | 熱蒸發 等...
        26
        2021-10
        化學氣相沉積 | 金屬有機化學氣相沉積 | 離子注入丨氧化爐丨退火爐 等...
        26
        2021-10
        劃片丨裂片 | 激光切割丨解理 | 研磨/減薄丨拋光 等...
        26
        2021-10
        晶圓鍵合丨引線丨點膠 | 倒裝焊接丨臺階儀丨膜厚儀丨輪廓儀 | 芯片電學測試 等...

        光刻

        • 分類:MEMS定制
        • 作者:
        • 來源:
        • 發布時間:2021-10-26 10:09
        • 訪問量:

        【概要描述】接觸式光刻 | 步進式光刻 | 電子束光刻 | 雙面對準光刻 | 激光制版 等...

        光刻

        【概要描述】接觸式光刻 | 步進式光刻 | 電子束光刻 | 雙面對準光刻 | 激光制版 等...

        • 分類:MEMS定制
        • 作者:
        • 來源:
        • 發布時間:2021-10-26 10:09
        • 訪問量:
        詳情

        接觸式光刻

        最小圖形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm

        步進式光刻

        投影比例1:5,最小圖形尺寸:0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范圍<22.5*22.5mm

        電子束光刻

        最小圖形尺寸:10nm,套刻精度:40nm 曝光范圍<直徑75mm

        雙面對準光刻

        最小圖形尺寸:1μm,正面套刻精度:±0.5μm 背面套刻精度:±0.5μm

        勻膠/顯影

        正膠:50nm~20μm,負膠:50~400nm

        噴膠

        單次厚度<2μm

        熱板/烘箱

        熱板溫度<180℃,烘箱溫度<350℃

        激光制版

        線寬>2μm

        上一個:
        下一個: 刻蝕
        上一個:
        下一個: 刻蝕

        盟維芯片秉承“做您身邊的MEMS解決方案工程師”的理念
        可提供MEMS定制、MEMS代工、微納器件設計與加工服務
        公司擁有光刻、刻蝕、鍍膜、封裝、檢測等加工技術,可滿足多數MEMS加工要求

        芯躍界限,洞悉瞬間!

                              —— 盟維芯片

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